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美光财报炸裂,但年底将被长鑫超越?中韩美存储三国杀进入决赛圈

核心内容总结

最近两周,存储芯片圈发生了几件大事:美光科技交出史上最强财报(营收暴涨346%、毛利率超84%),但美国分析机构却预测中国长鑫存储将在2026年底超越美光成为全球第三大DRAM供应商;同时,谷歌正在评估采购长鑫的DRAM,长鑫还拿到了295亿元科创板IPO募资。这背后是中韩美三国在存储芯片领域的角力:长鑫在通用DRAM赛道快速崛起,但HBM(AI核心存储)仍落后;美光在中国市场份额萎缩,长鑫趁机填补空白;中国存储在不同赛道的进度差异明显,“全球第三”是周期红利与真实进步的混合体。

一、三张牌桌:中国存储在不同战场的位置

存储芯片不是一个单一市场,而是三张“牌桌”,中国在每张桌上的角色完全不同:

1. HBM桌(AI最贵赌局):HBM是GPU的“饭勺”——GPU算得快,但没有HBM喂数据就白搭。这张桌被韩美垄断:SK海力士(58%份额)绑定英伟达,三星(21%)拿到AMD订单,美光(21%)产能售罄。中国连座位都没有,暂时玩不了这个高端局。

2. 通用DRAM桌(最大蛋糕):就是手机、电脑、服务器用的DDR/LPDDR内存,传统被三星(38%)、海力士(29%)、美光(22%)垄断。长鑫排第四(8%份额),但增速吓人:2026Q1营收涨719%、利润涨1688%。原因是三巨头把产能转去做HBM(1颗HBM能抵3颗普通DDR),通用DRAM供应紧张,长鑫成了唯一替代选项——阿里云、腾讯、小米都用它,谷歌也来评估订单。

3. NAND桌(断电能存的闪存):比如手机存储、SSD硬盘。三星(29%)、海力士(18%)领跑,但中国长江存储已经冲进前三(13%份额),靠自研技术一年涨5个百分点,扩产后可能超越美光。不过NAND利润低,和AI关联弱,涨价幅度远不如DRAM。

简单说:中国在HBM上还没入门,通用DRAM在抢地盘,NAND已经进第一梯队。

二、长鑫的利润:是周期风口还是真本事?

长鑫的财报数据像“核爆”,但得拆开来看看:

  • 虚的一面:利润暴增80%来自涨价(2026Q1 DRAM合约价涨了93%-98%),不是卖得多(出货量只涨11%)。而且长鑫DDR5成本比三巨头高30%,赚钱全靠涨价潮——要是涨价退了,成本劣势就会暴露。另外,它的产品几乎全是“白牌”DRAM(标准化、价格随市场走),高利润的服务器DRAM和HBM还够不着。
  • 实的一面:良率在提升(DDR5良率接近90%),产能扩张全球第一(2026年新增产能85kwspm),客户名单越来越硬(国内头部企业+谷歌评估)。更关键的是,它不是从零开始:2015年买了德国奇梦达的7000项专利(奇梦达曾是全球第二DRAM厂商),继承了和三星、海力士一样的底层技术,加上合肥十年不退出的“耐心资本”,才撑过了之前的亏损(十年亏366亿)。

结论:短期是风口红利,长期有真实积累。

三、美光vs长鑫:中国市场的此消彼长

美光和长鑫是真正的“你退我进”:

  • 美光的退:2023年中国网信办审查美光产品,要求关键基础设施停止采购,美光在中国收入占比从高点跌到7%,上海、深圳团队裁员,移动端份额萎缩到个位数。
  • 长鑫的进:美光退出的市场几乎全被长鑫接住——国内移动DRAM份额快速上升,阿里云、字节跳动等原先用美光的客户现在转用长鑫。甚至谷歌(美资企业)也来找长鑫,因为三巨头产能都去做HBM了,通用DRAM不够用,长鑫是唯一的第四选项。

但要注意:三巨头只是暂时把通用DRAM市场让出来(因为HBM利润更高),一旦HBM供给不紧张,他们随时能杀回来。

四、“全球第三”的含金量:短期水分与长期潜力

长鑫的“全球第三”不能简单看:

  • 短期:水分不小:利润靠涨价,HBM良率只有25%(根本没法商用),没有EUV光刻机(做先进芯片的“高端机床”)卡住了技术天花板。现在说“技术超越”还太早。
  • 中长期:潜力真实:十年从0到全球第四,产能、客户、技术积累都在不可逆增长。IPO募资295亿,70%用来扩产和技术升级(先把通用DRAM地基打牢),谷歌的订单是全球顶级背书。更重要的是,中国第一次让存储市场从“韩美垄断”变成“三国博弈”——以前是看客,现在能上桌了。

未来五年,如果长鑫能突破HBM(预测2028年拿12%份额),才会真正和韩美巨头正面交锋。

最后一句话总结

长鑫的“全球第三”是中国存储十年追赶的里程碑,但它还没到“吊打美光”的程度——短期靠风口,长期靠积累,能不能坐稳第三,要看它能不能突破HBM和EUV的卡脖子问题。但至少,中国存储不再是旁观者了。